Как дизайн с полевых транзисторов

Полевые транзисторы (FET) аналогичны биполярных транзисторов с соединительными только несколько незначительных различий. Как таковые, они могут быть использованы практически на любом попеременно транзистора конструкции. Полевые транзисторы, однако, предпочел в сильноточных приложений, потому что они легче управлять. Полевые транзисторы могут приводиться в очень малых токов. Проектирование с полевыми транзисторами в основном включает в себя определение, что право условия, если схема работать в соответствии со спецификациями. Инструкция

1

Определить допустимый уровень нестабильности схемы. Поскольку все будет схем иметь некоторую форму нестабильности, снижения коэффициента устойчивости в максимально возможной степени должны быть вычислены путем тщательного отбора источника и нагрузки допуски. Это обычно достигается путем использования механизмов обратной связи, используемых в конструкции транзистора. Каталог
2

Определить, если обратная связь должна быть использована для достижения стабильности. Обратная связь должна быть применена, только если есть необходимость достижения стабильности в высокочастотных резонансных усилителей, изоляции вход-выход или с целью изменения усиления и терминальные допуски транзисторов в цепи. Каталог
страница 3

Вычислить источника и нагрузки допуски. Источник и нагрузка цепи будет определять стабильность цепи в определенной степени и, таким образом, являются важными факторами при до сих пор пытаются стабилизировать цепь. Каталог
4

Используйте соответствующий дизайн сети, сохраняя при этом в виду, источника и нагрузки адмиттансы вы просто вычисляется. Например, два порта конструкция усилителя используется для высокочастотных цепей.

В