Какое усиление напряжения усилителя FET?
* transconduction (GM): Это мера того, насколько изменяется выходной ток для данного изменения входного напряжения. Более высокий ГМ приводит к более высокому усилению.
* сопротивление нагрузки (RL): Сопротивление, подключенное к выходу FET. Более высокий RL приводит к более высокому усилению.
* Внутреннее сопротивление (RDS): Это сопротивление самого FET, которое может ограничить усиление.
Усиление напряжения усилителя FET может быть аппроксимировано с помощью следующей формулы:
av ≈ gm * rl
Где:
* Av =усиление напряжения
* gm =transconduction
* Rl =сопротивление нагрузки
Важные соображения:
* Входное сопротивление: FET имеют очень высокий входной импеданс, что означает, что они рисуют очень мало тока из исходного сигнала. Это делает их идеальными для усиления сигналов без загрузки источника.
* частотный характер: Усиление усилителя FET может варьироваться в зависимости от частоты. Емкостные эффекты в схеме могут привести к тому, что усиление вылетает на высоких частотах.
* смещение: Точка смещения FET также может повлиять на его усиление. Правильное смещение гарантирует, что FET работает в линейной области для оптимального усиления.
Пример:
Допустим, у FET есть трансконденция 2 мс (миллисименс) и подключен к сопротивлению нагрузки 10 кОм (килори). Примерное усиление напряжения будет:
Av ≈ 2 мс * 10 кОм =20
Это означает, что выходное напряжение будет примерно в 20 раз больше, чем входное напряжение.
Примечание: Это упрощенное приближение. На фактическое усиление напряжения усилителя FET будет влиять такие факторы, как внутреннее сопротивление FET, условия смещения и конфигурация конкретной схемы.